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相关产品
产品信息
 产品种类:
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MOSFET | |
| 制造商: | Infineon | |
| RoHS: |
 详细信息
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| 技术: | Si | |
| 安装风格: | Through Hole | |
| 封装 / 箱体: | TO-220-3 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | P-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | - 100 V | |
| Id-连续漏极电流: | - 23 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 117 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| Qg-栅极电荷: | 64.7 nC | |
| 封装: | Tube | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 高度: | 15.65 mm | |
| 长度: | 10 mm | |
| Pd-功率耗散: | 140 W | |
| 工厂包装数量: | 1000 | |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel | |
| 宽度: | 4.4 mm | |
| 单位重量: | 6 g |